４靶材中毒及打弧現(xiàn)象的舒緩
　　
　　反應(yīng)濺射產(chǎn)生的氧化物會(huì)在靶材刻蝕區(qū)附近再沉積，形成一層絕緣層，絕緣層上會(huì)積累正離子電荷而改變靶表面電勢(shì)，造成濺射速率下降，當(dāng)靶表面電勢(shì)升高到一定程度時(shí)，會(huì)引發(fā)電弧放電，放電會(huì)破壞靶和膜層，這就是靶材“中毒”現(xiàn)象，如圖3所示。

　　目前，解決這個(gè)問(wèn)題的常用方法是采用雙旋轉(zhuǎn)陰較和交流電源組合，（參見(jiàn)圖3），由于旋轉(zhuǎn)陰較的靶是旋轉(zhuǎn)的，靶材的刻蝕均勻的分布于整個(gè)靶筒的表面，可以避免反應(yīng)濺射中由于再沉積而形成絕緣層。另外，中頻電源分別與兩個(gè)磁控管相接，使得兩個(gè)靶互為陰陽(yáng)較，并隨著中頻電源的電勢(shì)和相位每半個(gè)周期變換一次，這樣，磁控管就可以捕獲電子，改變?cè)俪练e區(qū)域的表面電勢(shì)，進(jìn)而起到舒緩電弧的作用。關(guān)于這一技術(shù)的詳細(xì)論述，請(qǐng)讀者參見(jiàn)文獻(xiàn)一。
　　
　　５不同靶位間反應(yīng)氣體的隔離
　　
　　由于Low-E膜的膜系復(fù)雜，現(xiàn)代連續(xù)式鍍膜線通常布置有10～30個(gè)靶位，對(duì)于采用不同工藝氣體的濺射單元之間，應(yīng)采取嚴(yán)格的氣體隔離措施，否則會(huì)使得各靶位間產(chǎn)生不必要的交叉污染，造成膜層質(zhì)量下降。以圖4所示為例進(jìn)行說(shuō)明：

　　如圖4所示，假定右一單元是Ag靶（平面靶），采用金屬模式濺射并生成Ag膜，左三單元為旋轉(zhuǎn)靶，加入O2進(jìn)行反應(yīng)濺射，生成氧化物膜。Ag在濺射時(shí)不能接觸O2，否則會(huì)產(chǎn)生AgO，影響膜層的光學(xué)性能和輻射率，并較終導(dǎo)致Low-E膜質(zhì)量下降。這種情況下，就需要對(duì)兩個(gè)靶位間的氣體進(jìn)行嚴(yán)格的隔離，圖示中右二和右三單元設(shè)置為氣體隔離單元，布置有分子泵蓋板和氣體隔離組件，能夠有效阻止反應(yīng)氣體O2從左三單元滲透到右一單元。而對(duì)于左二和左三的旋轉(zhuǎn)靶，用于采用同一種工藝氣體，則可以相鄰放置，不會(huì)影響膜層質(zhì)量。模塊化的鍍膜室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有助于上述功能的實(shí)現(xiàn)，因鍍膜室各單元結(jié)構(gòu)和尺寸一致，可實(shí)現(xiàn)陰較和分子泵蓋板位置的完全互換，有利于用戶依據(jù)不同膜系要求對(duì)機(jī)組進(jìn)行柔性配置。
　　
　�。督Y(jié)語(yǔ)
　　
　　影響Low-E鍍膜質(zhì)量和均勻性的因素很多，文章要點(diǎn)論述了通過(guò)提升鍍膜設(shè)備硬件配置來(lái)提高鍍膜質(zhì)量，其他還有諸如：玻璃原片質(zhì)量及新鮮度、玻璃清洗質(zhì)量、靶材質(zhì)量、鍍膜室清潔度、工藝操作水平等因素。因此，提高Low-E鍍膜質(zhì)量是一個(gè)系統(tǒng)工程，不僅需要高水平的設(shè)備硬件配置，也需加強(qiáng)對(duì)生產(chǎn)中各個(gè)環(huán)節(jié)的管理，同時(shí)還應(yīng)強(qiáng)化工藝人員的操作水平，從硬件和軟件兩方面保證高水平的Low-E鍍膜質(zhì)量的實(shí)現(xiàn)。