【中玻網(wǎng)】Low-E玻璃又稱低輻射鍍膜玻璃，是在玻璃表面鍍上以銀為基礎(chǔ)的若干層金屬或其化合物薄膜，這些膜層具有對(duì)可見光高透過及對(duì)中遠(yuǎn)紅外線高反射的特性，具有良好的節(jié)能效果和光學(xué)性能。真空磁控濺射法（PVD）也稱離線法，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn)，成為近年來Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。
　　
　　相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃，Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄，特別是近年來雙銀／三銀Low-E玻璃的推廣，有的產(chǎn)品需要沉積多達(dá)20多層不同材料的薄膜，這就對(duì)每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非常苛刻的要求。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性，這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學(xué)不均勻性就會(huì)非常明顯。因此對(duì)現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來說，提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個(gè)非常關(guān)鍵的課題。
　　
　　１工藝氣體布?xì)饩鶆蛐?br />　　
　　作為膜層均勻性控制的主要手段之一，工藝氣體布?xì)饩鶆蛐苑浅Ｖ匾�。我們采用如下二種方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性：
　　
　　１）布?xì)夤苈贩譃橹鞴芎洼o管，主管由3個(gè)質(zhì)量流量計(jì)分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量，輔管根據(jù)陰較寬度分為3～7段，每段由一個(gè)質(zhì)量流量計(jì)單獨(dú)控制工藝氣體流量，見圖1。

　�。玻┲鞴芎兔慷屋o管均采用二元布?xì)夥绞剑ㄒ妶D2），確保每個(gè)噴嘴的流導(dǎo)一致。

　�。碴庉^磁場強(qiáng)度一致性
　　
　　根據(jù)磁控濺射的原理，磁場強(qiáng)度越大，其對(duì)電子的束縛能力越強(qiáng)，相應(yīng)地，該處的氣體離化程度就越高，濺射速率也就越大。準(zhǔn)確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場強(qiáng)度在寬度方向的一致性，可以有效地控制濺射速率的橫向一致性，進(jìn)而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。
　　
　　陰較磁場強(qiáng)度的均勻性的控制手段包括以下2個(gè)：
　　
　　１）為確保磁場的強(qiáng)度一致性，需要對(duì)所用磁鐵的磁場強(qiáng)度進(jìn)行挑選，盡量選擇磁場強(qiáng)度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后，采用高斯計(jì)沿陰較橫向?qū)Υ艌鰪?qiáng)度進(jìn)行掃描測(cè)量，繪出磁場強(qiáng)度曲線，可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場強(qiáng)度，確保磁場沿陰較橫向的一致性。
　　
　　２）陰較使用過程中應(yīng)嚴(yán)格控制冷卻水溫，并及時(shí)更換靶材，防止永磁體過熱，因其過熱不僅會(huì)導(dǎo)致磁場強(qiáng)度衰減，也會(huì)造成磁場不均現(xiàn)象。
　　
　　３鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制
　　
　　３．１恒定的真空度
　　
　�。保└鶕�(jù)工藝氣體流量，對(duì)分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進(jìn)行合理配置。
　　
　　２）完善可靠的腔室密封，所有的動(dòng)密封如傳動(dòng)站、翻版閥等處均采用磁流體密封，蓋板和腔室之間采用壓差密封，即對(duì)兩道密封圈之間的空間抽真空，從而提高大型密封面的密封效果。
　　
　�。常┻M(jìn)出片過渡室內(nèi)部各布置2～3套阻流器，減少門閥開啟閉合對(duì)鍍膜室內(nèi)真空度的擾動(dòng)。
　　
　�。常矞囟瓤刂�
　　
　　陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻，并對(duì)進(jìn)出水的溫度和流量進(jìn)行監(jiān)控。
　　
　�。常掣稍锒瓤刂�
　　
　�。保�玻璃清洗完畢后應(yīng)確保干燥充分。
　　
　　２）生產(chǎn)線旁應(yīng)布置干燥壓縮空氣（CDA）儲(chǔ)氣罐，在空氣濕度大的時(shí)候，進(jìn)出片室在充氣時(shí)可選擇接通CDA，以減少進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
　　
　�。常┰阱兡な胰肟谔幵O(shè)置低溫冷阱，用于捕獲進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。